全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求，X-FAB现已在其备受欢迎的CMOS传感器工艺平台XS018（180纳米）上开放了背照（BSI）功能。BSI工艺截面示意图通过BSI工艺，成像感光像素性能将得到大幅增强。这一技术使得每个像素点接收到的入射光不会再被后端工艺的金属层所遮挡，从而大幅提升传感器的填充比，最高可达100%。由于其能够获得更高的像素感光灵敏度，因而在暗
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X-FAB 图像传感器 背照技术 CMOS传感器
4 月 8 日消息，国外科技媒体 Windows Latest 几周前受邀前往高通位于圣迭戈的总部，亲身体验了骁龙 X Elite 平台产品，在最新博文中分享了跑分、游戏实测和 NPU 性能等相关信息。跑分该媒体使用 3D Mark、Jetstream 等软件进行了相关测试，IT之家基于该媒体报道，附上 23W 骁龙 X Elite 处理器（系统瓦数，而非封装瓦数）和英特尔酷睿 Ultra 7 155H 处理器的跑分对比：跑分 Snapdragon X Elite 23w Intel Core Ultra
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高通 骁龙 X Elite 芯片 AI
"极致数字化"的时代已然拉开帷幕，全新水平的复杂数据和生成式 AI
的"化学效应"，正在加速提升自动化工作流的智能水平，帮助企业拥有更广泛且有竞争力的业务影响，同时通过实时洞察和决策来加速和扩展企业内部数字化转型的议程。据IBM
商业价值研究院近期针对全球范围内2,000 多名首席级高管开展的一项AI和自动化调研的洞察报告显示，在生成式 AI 采用和数据主导式创新领域处于前沿的企业已经收获了巨大的回报，其年净利润要比其他组织高出 72%，年收入增长率要高出
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IBM X-POWER 源卓微纳 AI 制造业智能化
12月22日，科创板上市公司格科微（688728.sh）成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式，及2023年产品推介会暨CEO交流会。图1 格科微20周年庆典暨临港工厂投产仪式.JPG以让世界看见中国的创新为使命，格科微经过二十年的发展，成功实现了从Fabless到Fab-Lite的战略转型，迎来了历史最佳的经营局面。值此良机，格科微高端产品再传佳讯，公司推出三款全新单芯片高阶产品，为未来加速核心技术产品化，迈向崭新的发展阶段奠定了基础。整个活动，政府领
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Fab-Lite 格科微 5000万像素 图像传感器
据临港新片区管委会官网披露文件显示，日前，中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目城镇污水排入排水管网许可顺利获批。据悉，中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目由中芯国际和中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会合作规划建设。根据协议，双方共同成立合资公司，规划建设产能为10万片/月的12英寸晶圆代工生产线项目，聚焦于提供28纳米及以上技术节点的集成电路晶圆代工与技术服务。据中芯国际发布的公告显示，该项目计划投资约88.7亿美元（折合人民币约573亿元），这也是中芯国际在上海的第一个按照Twin Fa
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中芯国际 12英寸晶圆 代工厂 Twin Fab
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程，在保持同样低的本底噪声水平的同时，显著增强信号，而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。X-FAB通过推出这一最新版本的产品，成功丰富了其SPAD产品的选择范围，提升了解决众多视近红外
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X-FAB 近红外 SPAD
● TMF8821可输出多个点距离值，具有避障、防跌落和辅助建图功能；● TMF8821卓越的测距性能与出色的抗阳光干扰能力，能够在各种光照环境下实现可靠检测；● TMF8821产线校准方式简单，只需一次底噪校准就可完成；● 立功科技提供算法技术支持，优化功能效果。EBO X智能机器人全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗近日宣布，通过与立功科技合作，携手家庭机器人供应商Enabot成功推出AI智能陪伴机器人
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艾迈斯欧司朗 立功科技 Enabot 智能机器人 EBO X 家庭陪伴
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在电隔离技术领域取得重大进展——X-FAB在2018年基于其先进工艺XA035推出针对稳健的分立电容或电感耦合器优化之后，现又在此平台上实现了将电隔离元件与有源电路的直接集成。这是X-FAB对半导体制造工艺上的又一重大突破。这一集成方法使隔离产品的设计更加灵活，从而应对可再生能源、EV动力系统、工厂自动化和工业电源领域的新兴机遇。XA035基于350纳米工艺节点，非常适合制造车用传感器和高压工
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X-FAB 电隔离解决方案
IT之家 10 月 25 日消息，2023 的高通峰会现在正式开始，高通推出的第一款产品就是为 PC 产品设计的全新骁龙 X 平台，其旗舰产品命名为“骁龙 X Elite”。骁龙 X Elite 采用定制 Oryon CPU，基于 4nm 工艺打造，采用 12 颗 3.8GHz 大核，支持双核睿频至 4.3GHz，内存带宽 136GB/s，缓存总数 42MB。IT之家汇总骁龙 X Elite 规格如下：规格CPUQualcomm Oryon CPU，64 位架构，12 核，最高 3.8 GHz，
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高通 骁龙 X
在人工智能（AI）、机器学习（ML）和数据挖掘的狂潮中，我们对数据处理的渴求呈现出前所未有的指数级增长。面对这种前景，内存带宽成了数字时代的关键“动脉”。其中，以双倍数据传输速率和更高的带宽而闻名的 DDR（Double Data Rate）技术作为动态随机存取存储器（DRAM）的重要演进，极大地推动了计算机性能的提升。从 2000 年第一代 DDR 技术诞生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技术在带宽、性能和功耗等各个方面都实现了显著的进步。如今，无论是 PC、笔电还是人工智能，各行业正在加
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DDR5 Cadence Sigrity X
据华为官方微信号10月11日消息，2023全球移动宽带论坛（Global MBB Forum 2022）期间，华为董事、ICT产品与解决方案总裁杨超斌重磅发布了全新一代5G室内数字化产品解决方案LampSite X系列，助力运营商打开商业新空间，加快迈向数智化新时代。杨超斌表示：“LampSite X将5G-A极致能力首次带入室内场景，实现室内数字化全面升级：以最小体积、最轻重量、最简部署、最低能耗实现万兆体验和多维能力升级，满足消费者更极致的室内体验需求，释放千行百业更强大的数字生产力。”华为无线网络产
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华为 5G LampSite X
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成无源器件（IPD）制造能力，进一步增强其在射频（RF）领域的广泛实力。公司在欧洲微波展（9月17至22日，柏林）举办前夕推出XIPD工艺；参加此次活动的人员可与X-FAB技术人员（位于438C展位）就这一创新进行交流。X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层，让客户能够在其器
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X-FAB 无源器件 晶圆代工厂
6月19日消息，作为季度末促销活动的一部分，特斯拉再次对某些库存车型提供折扣，以寻求在第二季度结束前提振销量。随着季度末的临近，特斯拉希望通过减少库存来实现更好的财务业绩。为了实现这一目标，特斯拉会定期实施特殊折扣或激励措施，以便在季度末之前清空库存车辆。据外媒报道，特斯拉近日将Model X和Model S的售价都下调了8000美元，并为6月30日之前购车的客户提供三年免费超级充电服务。特斯拉官网显示，这些举措意味着，客户现在可以8.3万美元左右的价格买到2023年款特斯拉Model S，折扣金额为75
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特斯拉 Model S/X 充电
中国北京，2023年6月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电子平台。在此过程中，模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牵头发起一项战略倡议，旨在推
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X-FAB 硅光电子 PhotonixFab 光电子
中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB 110纳米 BCD-on-SOI
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